Дайте определения основных понятий: генерация: рекомбинация, захват, равновесная концентрация, избыточная

При выполнении работы по настоящей методике существует опасность поражения электрическим током. Для предупреждения поражения электрическим током необходимо соблюдать «Инструкцию № 24-03 по охране труда при .выполнении работ на электроприборах, электроустановках в помещениях лаборатории кафедры КФН ауд. 4120, 4235, 4348».

Контрольные вопросы

1)                 Дайте определения основных понятий: генерация: рекомбинация, захват, равновесная концентрация, избыточная концентрация; неравновесная концентрация и др.

2)                 Объясните понятия: низкий, высокий, средний уровень инжекции; время жизни.

3)                 Уравнение непрерывности, время жизни.

4)                 Каким образом устанавливается электронейтральность в полупроводниках? Максвелловское время релаксации.

5)                 Механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках по способу перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону.

6)                 Механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках по способу передачи энергии рекомбинирующих частиц.

7)                                   Определение глубоких и мелких примесных состояний (сравнение энергии ионизации и ширины запрещенной зоны)/

8)                 При каком положении уровня ловушек время  жизни максимально?

9)                 В каких полупроводниках преобладает рекомбинация через ловушки а в каких — прямая рекомбинация?

10)             При каких условиях времена жизни электронов и дырок равны?

11)             Как зависит время жизни при рекомбинации через ловушки от концентрации легирующей примеси?

12)             Как зависит время жизни от уровня инжекции?

13)             Как зависит время жизни при рекомбинации через ловушки от температуры?

14)             Теория рекомбинации Шокли-Рида-Холла.

15)             Определить время жизни неосновных носителей заряда в германии при условии существования параллельно двух механизмов рекомбинации, первый из которых из которых дает время жизни t 1, а второй – t 2, причем, t 1>> t 2.

16)             Метод спада фотопроводимости.

17)             Методика измерения времени жизни методом спада фотопроводимости.

18)             Макет установки для определения времени жизни, назначения блоков.

Литература

1.      К.В.Шалимова. Физика полупроводников. Москва «Энергоатомиздат», 1985.

2.      Специальный практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам. Под редакцией К.В.Шалимовой. Государственное энергетическое издательство, Москва, Ленинград, 1962.

3.      В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников. Физика полупроводников. «Наука», Москва, 1977.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector