таким образом, при одновременном действии нескольких механизмов рекомбинации результирующее время жизни

При наличии нескольких механизмов рекомбинации суммарное время жизни t определяется по следующей формуле.

где  ti — время жизни при i-ом механизме рекомбинации.

Таким образом, при одновременном действии нескольких механизмов рекомбинации результирующее время жизни будет определять­ся наименьшим временем жизни, соответствующим наиболее вероятному механизму рекомбинации. Относительный вклад различных видов рекомбинации в значительной степени зависит от отношения ширины запрещенной зоны к тепловой энергии (кТ), глубины залегания и концентрации рекомбинационных центров, концентрации равновесных носителей заряда, температуры и внешних условий. Разработанная в настоящее время техника очистки полупроводниковых материалов не позволяет избежать преобладающего влияния рекомбинации на ловушках при DЕ>20 кТ (около0,5 эВ при комнатной температуре). Прямая рекомбинация играет существенную роль в прямозонных полупроводниках с малой шириной запрещенной зоны и ее вероятность возрастает при повышении температуры.

Рекомбинация через ловушки

Теорию рекомбинации через ловушки разработали Шокли, Рид и Холл. Они исследовали простейшую модель полупроводника, который содержит примесь только одного сорта, дающую один рекомбинационный уровень Et в запрещенной зоне (рис.3). Рассмотрим эту теорию в предположении, что концентрация ловушек Nt мала. В этом случае можно считать, что Dn=Dр. Если Nt сравнимо с Dn и Dр то часть избыточных носителей захватывается ловушками, при этом DnDр и время жизни tntp.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector