Распределение неосновных носителей в базе диффузионного транзистора для различных режимов работы.

1.      Распределение неосновных носителей в базе диффузионного транзистора для различных режимов работы.

2.      Распределение токов в биполярном транзисторе (нормальный режим). Механизмы базового тока.

3.      Выходные характеристики идеализированного биполярного транзистора при включении по схеме ОБ.

4.      Выходные характеристики идеализированного биполярного транзистора при включении по схеме ОЭ.

5.      Особенности вырожденного эмиттера. Расчет эффективности эмиттера с учетом его вырождения.

6.      Эффект Эрли в биполярном транзисторе. Сопротивление коллекторного перехода rC в нормальном режиме работы и его влияние на выходные ВАХ.

7.      Эффект Эрли в биполярном транзисторе. Внутренняя обратная связь.

8.      Эквивалентная схема Эберса-Молла для большого сигнала.

9.      Метод Гуммеля-Пуна.

10.  Эквивалентная схема биполярного транзистора Гуммеля-Пуна.

11.  Малосигнальные эквивалентные схемы биполярного транзистора.

12.  Частотные свойства биполярного транзистора.

13.  Дрейфовый транзистор. Распределение примеси. Фактор поля. Квазиполя для электронов и дырок.

14.  Дрейфовый транзистор. Распределение избыточных носителей в базе. Время пролета.

15.  Дрейфовый транзистор. Тепловые токи эмиттерного перехода. Коэффициент передачи эмиттерного тока. Влияние вырождения эмиттера.

16.  Дрейфовый транзистор. Частотные и переходные характеристики коэффициента передачи эмиттерного тока.

17.  Дрейфовый транзистор. Инверсные параметры.

18.  Биполярный транзистор с поликремниевым эмиттером.

19.  Современные структуры биполярных транзисторов. Методы оптимизации транзисторных структур (на примере структуры SST).

20.  Мощные биполярные транзисторы и транзисторы СВЧ.

21.  Контакт металл-полупроводник. Энергетическая диаграмма контакта Шоттки при низкой и высокой плотности поверхностных состояний. Эффект Шоттки.

22.  Диодная теория выпрямления на контакте металл-полупроводник.

23.  Диффузионная теория выпрямления на контакте металл-полупроводник.

24.  Диоды Шоттки. ВАХ и преимущества реального диода Шоттки. Омический контакт.

25.  Полевые транзисторы с управляющим рп-переходом. Принцип действия. Эквивалентная схема и особенности ВАХ.

26.  Особенности GaAs как материала микроэлектроники. Полевой транзистор с затвором Шоттки на основе GaAs.

27.  Полевой транзистор с затвором Шоттки на основе GaAs. Устройство, пороговое напряжение, эквивалентная схема. Особенности ПТШ на основе GaAs.

28.  Гетеропереходные полевые транзисторы на основе GaAs. Принцип действия. Энергетическая диаграмма.

29.  Пороговое напряжение, ВАХ, эквивалентная схема, преимущества ГПТ на основе GaAs.

30.  Биполярные гетеропереходные транзисторы.

31.  ВФХ идеальной МДП структуры. Принцип действия ПЗС.

32.  ПЗС с поверхностным каналом. Энергетическая диаграмма. Модель «гидравлической» потенциальной ямы.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector