В последние годы основное внимание разработчиков интегральных микросхем

В последние годы основное внимание разработчиков интегральных микросхем концентрируется на развитии КМОП-технологии, смешанной биполярной КМОП-технологии (БиКМОП), совершенствовании и разработке новых видов микропроцессоров, интенсивном развитии ИС на арсениде галлия, разработке и освоении технологии многослойных трехмерных СБИС. Разработки ИС сопровождаются непрерывным увеличением числа используемых слоев (до 15) и числа шаблонов (до 20), уменьшением глубины залегания р–n-переходов (до 0,1 мкм), ширины линий (до 0,3 мкм) и толщины подзатворного диэлектрика (до 10 нм). Однако освоение промышленного выпуска СБИС с элементами субмикронных размеров невозможно без кардинального решения проблемы металлизации в них. Дело в том, что с повышением степени интеграции ИС роль металлизации резко возрастает. Она занимает все большую площадь и начинает влиять на основные параметры схем: площадь кристалла, быстродействие, показатель качества, помехоустойчивость, надежность и др.

Если с уменьшением размеров быстродействие логических элементов возрастает, то быстродействие межсоединений системы металлизации снижается из-за уменьшения поперечного сечения проводников межсоединений и соответствующего увеличения погонного сопротивления. В результате, начиная с некоторого уровня интеграции ИС, задержки сигналов в межсоединениях могут превышать задержки в самих логических элементах. С уменьшением поперечного сечения проводников межсоединений появляется и ряд других проблем: снижается электромиграционная стойкость проводников, значительно усложняются технологические приемы травления при создании рисунка проводников с воспроизводимыми размерами и др.

Существенное влияние на параметры полупроводниковых приборов с субмикронными размерами и ИС высокой степени интеграции оказывают омические контакты и контакты Шотки. Так, с уменьшением размеров элементов ИС значительно повышается переходное сопротивление омических контактов. Результаты анализа динамики развития параметров полупроводниковых ИС (табл.1.1) в зависимости от минимального размера элементов со всей очевидностью показывают необхо-

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector