. Маршрут изготовления КМОП ИС двоично-десятичного счетчика

 

Первым шагом является создание маскирующего слоя SiO2 на поверхности слаболегированной (~1015 см-3) подложки р-типа.Затем с помощью фотолитографии формируют карман, необходимый для создания в нём структуры р-канального транзистора (рис. 1.1 а).

Далее выращивают плёнку SiO2, выступающую в качестве буферного слоя. Этот слой защищает поверхность Siот возникновения дефектов в ходе последующего ионного легирования. После этой операции для восстановления разрушенной структуры Si и активации внедренной примеси проводят  высокотемпературный отжиг (рис. 1.1 б).

 Следующим этапом является создание охранных (р-типа) и изолирующих областей (рис. 1.1 в). Охранные области p-типа необходимы для предотвращения распространения инверсного канала между n-карманом и областью истока

n-канального транзистора.

Затем следует осаждение нитрида кремния Si3N4 , который является маской для Si в процессе локального окисления. Далее слои промежуточного окисла и нитрида кремния удаляются, и снова выращивается тонкий слой подзатворного диэлектрика (рис. 1.1 д).

Дальнейшим шагом является осаждение поликремния Si*, затем легирование  его примесью   n-типа и формирование затворов (рис.1.1 е). Потом следует создание сток-истоковых областей (рис.1.1 ж). Для создания LDD-областей и боковой изоляции затвора используют спейсеры (рис. 1.1 з). Далее осуществляется осаждение ФСС (фосфоросиликатное стекло) и его оплавление. Осажденное фосфоросиликатное стекло выполняет несколько функций. Фосфор в таком стекле защищает лежащую под ним структуру прибора от подвижных ионов, и, кроме того, он делает стекло вязким, облегчая его оплавление при повышенной температуре.Помимо этогоФСС  изолирует металлический слой от поликремниевых шин. Заключительным этапом является формирование контактных окон и напыление металла (рис.1.1 и).

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector