Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе

В отечественной микроэлектронике для удаления механических загрязнений с поверхности полупроводниковых пластин в основ­ном используется обработка погружением в раствор NH4OH/H2O2/H2O. В процессе очистки поверхности подложек в указанном растворе между двумя химическими компонентами про­исходит компенсационное взаимодействие: перекись водорода (H2O2) окисляет кремний и образует слой оксида кремния (SiO2) непосредственно на поверхности подложки, а аммиак, напротив, подтравливает образовавшийся слой SiO2. В результате протекания указанных процессов слой оксида кремния постоянно образуется и удаляется, а подтравливание слоя SiO2 под частицами способствует удалению с поверхности Si пластин загрязнений. Главным недос­татком указанного процесса химической обработки является изме­нение концентрации компонентов в растворе в процессе его ис­пользования и хранения, что приводит к ухудшению характеристик поверхности подложек. Раствор перекиси водорода при нагревании разлагается по схеме 2H2O2=2H2O+O2. Уменьшается концентрация аммиака в растворе, что происходит за счет его летучести в процессе нагревания раствора. Добавками стабилизаторов снижают скорость разложения раствора.

В литературных источниках рассматриваются варианты объем­ных отношений компонентов раствора NH4OH/H2O2/H2O как 1:1:3, с тенденцией уменьшения концентраций NH4OH и H2O2 в воде при современных режимах химической обработки. Температура обра­ботки варьируется от 20 до 80 °С [33,35–38]. На рис.6.8 приведены результаты исследований изменения скорости травления поверхно­сти подложек в зависимости от концентрации компонентов в рас­творе NH4OH/H2O2/H2O

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector