. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки

Основной механизм действия «жидкостной» химической очи­стки заключается в следующем: для удаления металлических и ор­ганических загрязнений с поверхности кремниевых пластин необ­ходимо использовать растворы с большим «редокс»-потенциалом (электродный потенциал окислительно-восстановительной реак­ции). При воздействии этого типа растворов происходит окисление металлических примесей, разложение органических соединений на летучие соединения и воду. В общепринятых растворах H2SO4/H2O2 и HCl/H2O2/H2O, имеющих высокий «редокс»-потенциал, при высо­кой температуре (больше 100 °С) происходит удаление металличе­ских примесей и органических загрязнений (фоторезиста) с по­верхности подложек. Органические пленки под действием кислот при высокой температуре разрушаются и продукты реакции пере­ходят в раствор.

На поверхности кремниевых пластин в процессе изготовления ИС могут находиться слои SiO2, Si3N4, Al, органических соедине­ний и др. В алкильных растворах все эти материалы имеют отрица­тельный x-потенциал (электрокинетический потенциал частиц в кинетике обменных химических реакций), т.е. такой же полярно­сти, что и используемый раствор NH4OH/H2O2/H2O (табл.6.4). За­грязнения на поверхности, взаимодействуя с заряженными тем же знаком x-потенциала частицами раствора, взаимно отталкиваются и, таким образом, удаляются с поверхности пластины [33

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector