Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий

Одной из главных задач полупроводниковой техники является изготовление надежных приборов, способных работать в течение длительного времени. Установлено, что электрические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность за­висят от состояния поверхности полупроводниковых пластин, ме­няющегося в результате физических и химических процессов, про­текающих на поверхности [19]. При контакте незащищенных полу­проводниковых пластин с атмосферным воздухом на поверхности адсорбируются в основном молекулы воды и кислорода. Помимо молекул воды и газов на поверхности пластин осаждаются аэро­золи различного происхождения, продукты химических реакций, примеси из химических реактивов и моющих составов [15,20]. За­грязнения на поверхности Si пластин являются причиной различ­ных дефектов структур [21].

 

6.3.1. Механические загрязнения

Надежность, качество и процент выхода годных ИС в значи­тельной степени зависят от загрязнений, вызываемых, прежде всего механическими частицами [22, 23]:

— в процессах фотолитографии механические частицы приводят к искажению формируемого рисунка и, как следствие, к отказам в работе ИС из-за обрывов токоведущих дорожек и других причин;

— присутствие инородных частиц на участках поверхности, под­верженных ионной имплантации, приводит к рассеянию ионного пучка, в результате чего доза имплантированных ионов будет от­личной от нормы. Возникают локальные участки с отличающейся электропроводностью, которые являются причиной возрастания токов утечки или короткого замыкания с подложкой;

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector