ПОЯСНЕНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ КУРСОВОГО ПРОЕКТА ПО ДИСЦИПЛИНЕ ЭТТЭ

При оформлении курсового проекта следует руководствоваться электронным пособием «Методические указания по выполнению курсового проекта по курсу ЭТТЭ: часть 1 ,2» под редакцией Титовой И.Н., находящегося на электронном хранилище системы ОРОКС:

(http://orioks.miet.ru/oroks-miet/scripts/login.pl?DBnum=11)

Но, кроме того, при оформлении курсового проекта следует также руководствоваться и дополнительными требованиями, в том числе требованиями ГОСТ:

1)     В 1 части курсового проекта «Расчет параметров МДП транзисторов» топологический рисунок должен быть выполнен в масштабе (по Вашему размеру) на миллиметровой бумаге;

2)     В 1 части курсового проекта ВАХ МДП транзистора должны быть построены на миллиметровой бумаге: приведены графики, указана подпись к рисунку с порядковым номером и ссылкой на нее в основном тексте, подписаны оси, указаны параметры ВАХ;

3)     Во 2 части курсового проекта «Расчет параметров биполярного транзисторов» топологический рисунок должен быть выполнен в масштабе (по Вашему размеру) на миллиметровой бумаге;

4)     Во 2 части курсового проекта ВАХ биполярного транзистора должны быть построены на миллиметровой бумаге: приведены графики, указана подпись к рисунку с порядковым номером и ссылкой на нее в основном тексте, подписаны оси, указаны параметры ВАХ;

5)     В 1 и во 2 части курсового проекта должны приводиться маршрутные карты по основным технологическим операциям при формировании МДП и биполярного транзисторов в ГРАФИЧЕСКОМ виде (должны быть указаны рисунки, наличие текстовых комментариев недостаточно);

6)     Источники используемой литературы должны приводиться не старше 10-летнего возраста (допускается использовать ссылки на ресурс ОРОКС, конспект лекций по курсу ЭТТЭ);

7)     КУРСОВОЙ ПРОЕКТ В ОФОРМЛЕННОМ РАСПЕЧАТАННОМ ВИДЕ НЕ ПРИМАЕТСЯ К РАССМОТРЕНИЮ И К ЗАЩИТЕ, ПОКА РАСЧЕТЫ ПО 1 И 2 ЧАСТЯМ НЕ БУДУТ ПРОДЕМОНТРИРОВАНЫ В РУКОПИСНОМ ВИДЕ!!!

8)     Для получения высоких баллов (4 и 5) рекомендуется не ограничиваться содержательным материалом из документа «Методические указания…», а применять сведения из дополнительных источников, ссылки на которые должны быть в перечне литературы;

9)     В курсовом проекте должно присутствовать содержание и введение;

10)Во введении (не более страницы) указывается актуальность применения схем на МДП и биполярных транзисторах. Последними словами введения является актуальность расчета параметров транзисторов для их использования в составе интегральных микросхем;

11)Главы и разделы курсового проекта нумеруются, шрифт TimesNewRoman, кегль 13 и 14. Название глав указывается большими буквами по центру, название разделов приводится слева, как в предложениях с использованием сквозной нумерации. Например, Глава 1. Расчет параметров МДП транзисторА. Раздел 1.1. Маршрут формирования МДП транзисторов. ГЛАВА 2. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. Раздел 2.1. Маршрут формирования биполярного транзистора.

12)Основной текст курсового проекта выполняется шрифтом TimesNewRoman, кегль 13 или 14, выравнивается по ширине;

13)Рисунки указываются внутри текста, по центру. Подрисуночная подпись указывается по центру, шрифт TimesNewRoman, кегль 10. Например, Рис.1.4. – Структуры МДП транзистора. Или, например, Рис.2.4. – Структура биполярного транзистора.

14)Формулы формируются в редакторе Equation или MathType, устанавливаются по середине отдельной стракой, справа сноска. Например,

Формула                                                (2.1)

15)В тексте обязательно должна быть ссылка на формулу. На этапе подставления значений в формулу формула не нумеруется и может присутствовать внутри текста.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector