Скорость травления

Скорость травления в этом случае определяется скоростью протекания химической реакции и зависит от энергии активации процесса травления. Следовательно, травление будет селективным, как и в начальный момент. Такой процесс используется для выявления структурных дефектов на поверхности полупроводника, кристаллографической ориентации поверхности.

В противоположном случае, когда

Скорость травления здесь мало зависит от энергии активации и определяется лишь диффузионными процессами. Травление будет полирующим. Полировка происходит следующим образом, Если на поверхности пластины имеется рельефный слой, то после образования у поверхности обедненного слоя оказывается, что толщина последнего над выступами d несколько меньше (рис.2), чем его средняя толщина, поэтому к выступам реагент подходит раньше и они травятся быстрее, чем впадины, т.е. происходит полировка (сглаживание) рельефа поверхности пластин.

Две теории саморастворения кремния. Для объяснения саморастворения кремния существуют две теории: химическая и электрохимическая.

Простейшее объяснение процесса травления дает химическая теория: травитель должен содержать два основных компонента — окислитель, которым является обычно азотная кислота, и растворитель оксида, которым служит плавиковая кислота. Процесс травления согласно этой теории происходит в два этапа:

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector