Очистка и изотропное химическое травление кремния

Цель работы: ознакомиться на практике с технологическими приемами химической обработки и контроля качества поверхности кремниевых пластин, которые предшествуют окислению, диффузии и другим стадиям производства интегральных микросхем.

Теоретические сведения

Роль обработки поверхности кремниевой пластины в производстве полупроводниковых интегральных микросхем.

Кремниевые пластины получают путем резки монокристаллического слитка цилиндрической формы вдоль одной из кристаллографических плоскостей: (100), (110), (111).

После резки на поверхности пластины образуется поврежденный одой глубиной до 75 мкм, который снимается в результате последующей шлифовки и полировки. Так, после шлифовки глубина поврежденного слоя становится равной 4-6 мкм, а затем после механической полировки уменьшается до 0,7 — I мкм.

Структуру нарушенного слоя можно условно представить состоящей из четырех областей: I) микрорельефа; 2) микротрещин; 3) скопления дислокаций; 4) с плотностью дислокаций, превышающей плотность дислокаций в объеме кристалла (рис. I).

Области микрорельефа и микротрещин представляют собой аморфный или мелкокристаллический кремний. Области скопления дислокаций (до 10 см-2) и с повышенной, по сравнению с объемом полупроводника, плотностью дислокаций имеют монокристаллическую структуру.

Кроме структурных неоднородностей в нарушенном слое при последующей

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector