мною изучался пакет программ среды ISE TCAD

    В ходе учебного года (2008/2009) мною изучался пакет программ среды ISETCAD — средство автоматизации технологического проектирования электронных элементов. Первоначальное изучение было направлено на программу DIOS– программу для одномерного, двумерного и трехмерного моделирования технологических процессов. В ходе ознакомления с этой программой были освоены методы, которые позволяют моделировать травление, ионную имплантацию, все высокотемпературные операции, а именно быстрый термический отжиг, окисление, эпитаксию и предварительные термообработки, а также рост силицида. Также были освоены основные команды задания технологических параметров, которые определяют процесс технологического моделирования. После освоения методов  получения топологий готовых структур, было необходимо снять основные вольт — амперные характеристики с полученных элементов, а именно рассчитать напряжения порога отпирания для структур: металл – окисел – полупроводник (МОП — транзистор), также необходимо было рассчитать  напряжение пробоя диода и. т. п. Для получения всех этих характеристик изучалась программа DESSIS, входящая в состав  ядра программы DIOS. Конкретно, в ходе работы с программой DIOS (9-й семестр 2008 г.), мною были получены следующие структуры: структура планарного диода, резистора; структура двухмерного КМОП транзистора и изоляцией LOCOS. Также в качестве примеров были получены структуры биполярных транзисторов (в основном был разобран пример двухколлекторного магниточувствительного биполярного транзистора (ДКМБТ)). Далее, с использованием программы DESSIS,  были получены и проанализированы ВАХ данных приборов, а именно проходные и выходные характеристики для КМОП транзистора и АЧХ – для структуры биполярного транзистора.

   В 10-м семестре (2009 учебного года), освоив основные возможности проектирования в среде DIOS, приступил к изучению более новой версии  TCAD, а именно технологическое проектирование в среде  Ligament. Изучение данной программы мотивировалось большими дополнительными возможностями проектирования, например простота создание  сложных трехмерных структур (МДП – транзисторы разного типа). Как и ранее, при изучении DIOS, в Ligament первоначально были изучены основные операции формирования структур: получение 2D и 3D профилей. Аналогично после формирования структур шло освоение программных модулей для проведения расчетов полученных элементов, например, осваивался модуль SEDEVICE, который в моем примере использовался для расчетов выходных и проходных характеристик структуры КНИ. Также был рассмотрен пример расчета частотных характеристик на примере, полученной КНИ структуры.

   В данный момент разбирается возможность формирования  КНС структуры и провидение необходимых расчетов для данной топологии с использованием среды  Ligament. Далее планируется произвести экстракцию SPICE параметров для данной структуры и сравнить полученную модель с характеристиками реальной модели. Т. е. необходимо будет оценить  адекватность модели и дальнейшее ее использование.

 

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector