Методы травления кремния

Травление полупроводника идет с большим выделением тепла. Воз­можная неравномерность травления может привести к неоднородному разогреву пластин и растравливанию в местах с наиболее высокой температурой.

Однородность травления и равномерность разогрева обеспечи­ваются интенсивным перемешиванием травителя. Скорость травления линейно возрастает с увеличением скорости перемешивания данного раствора. Скорость перемешивания должна подбираться для каждого состава травителя индивидуально.

При определенной скорости перемешивания устанавливается со­ответствующая постоянная толщина обедненной реагентом области непосредственно у поверхности пластины. Неизменность толщины этой области поддерживает постоянную скорость диффузии молекул травителя из объема раствора к поверхности пластины. Этим обес­печивается равномерность полировки пластин и постоянство скорос­ти полирующего травления. При слишком медленном перемешивании толщина обедненного слоя может стать очень большой и травление замедлится. Напротив, при большой скорости перемешивания обед­ненный слой может не успевать образовываться у поверхности плас­тин или «срываться» с поверхности потоком жидкости, что приве­дет к селективному растравливанию поверхности. Таким образом, от правильного выбора скорости перемешивания зависит качество химической обработки.

 

Методы травления кремния

Химико-динамическая полировка — это травление полупроводникового материала в полирующем травителе во вращающейся фторопластовой ванне 2. В установке (рис.3) ванна  закреплена под углом от 30 до 45° для создания лучших условий перемешивания травителя. Скорость вращения ванны 60 — 80 об/мин, при более вы­соких скоростях пограничный обедненный слой срывается с пластины и травление идет селективно, при меньших скоростях вращения на­блюдается локальный перегрев, что также вызывает неравномерное травление поверхности.

 


Ссылка на основную публикацию
Adblock detector