Анизотропное плазменное травление SiO2.

Анизотропное плазменное травление SiO2. Как говорилось выше, для плазменного травления SiO2 обычно используются фторсодержащие газовые смеси поскольку скорости реакции диоксида кремния с другими галогенами достаточно низки [4]. Благодаря химической инертности SiO2 для его травления с приемлемыми скоростями требуются значительные энергии ионной бомбардировки [4, 5]. При высоких энергиях ионов физическое распыление играет значительную роль, что создает проблемы плазмостойкости маскирующего покрытия и остановки травления на подслое. Единственным практическим решением этой проблемы является покрытие поверхности резиста и нижележащего слоя (кремния, нитрида кремния и т.п.) тонким устойчивым к плазменному травлению пассивирующим слоем, чтобы предотвратить их ионностимулированное травление. Этого можно достичь, используя обедненные фтором, склонных к полимеризации разрядов во фторуглеродных газах [6, 7], например, разрядов в CF4, C3F8, CHF3, C2F6 или C4F8 с возможными добавками Н2 и СО. Если к пластине приложено достаточно высокое смещение, то комплексный баланс фторуглеродного осаждения, фторуглеродного травления и травления подложки создает тонкую фторуглеродную пленку на поверхности подложки во время травления. Химические отличия между материалами функциональных слоев позволяют достичь селективного травления, поскольку данный баланс для одного материала может способствовать травлению, в то время, как для другого — осаждению. На рисунке 10 приведена зависимость скорости травления диоксида кремния от напряжения смещения в высокоплотной фторуглеродной плазме.

Без смещения на подложку имеет место скоростное образование фторуглеродной пленки. Это образование фторуглеродной пленки может быть подавлено, если смещение на подложке превышает некоторый энергетический порог, который определяется химией разряда. Атомарный кислород, образующийся на поверхности SiO2 под воздействием ионной бомбардировки, образовывает летучие вещества, такие как, CO, CO2, СOF2, и, тем самым, препятствует образованию фторуглеродной пленки на поверхности окисла кремния.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector