Но существенным недостатком СВЧ – систем является сравнительно высокая стоимость и сложность СВЧ техники

Но существенным недостатком СВЧ – систем является сравнительно высокая стоимость и сложность СВЧ техники возбуждения разряда, согласования, защиты от вредного излучения и т.п. (в сравнении с традиционной высокочастотной), а также проблемы достижения достаточно высокой однородности травления по пластине. Кроме того, даже в СВЧ – системе изотропного травления для защиты фоторезистивной маски от воздействия плазмы необходимо использовать экранирующую металлическую сетку, усложняющую проблему привносимой дефектности.

Наиболее простыми в проектировании, производстве и обслуживании являются источники индуктивно (трансформаторно) – связанной плазмы (ИСП, ТСП, см. рис.4). Оба типа источников обеспечивают плотность плазмы от 10 до 1012 см.

Для реализации второй стадии формирования изотропно – анизотропного профиля контактного окна (т.е. процесса сухого анизотропного травления) можно использовать систему реактивно ионного травления (РИТ, см. рис. 5). Но определенные ограничения в использовании систем РИТ вызваны трудностью работы с ВЧ источниками при низком давлении, заключающейся в быстром падении ионной плотности при снижении давления. Это, в свою очередь, вызывает снижение скорости травления и производительности. Увеличение мощности или напряжения смещения на пластине ведет к увеличению скорости травления, но при этом возникают проблемы с высокоэнергетическими ионами, которые приводят к повышенному дефектообразованию в полупроводниковых структурах.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector