Методы формирования наклонного профиля контактных окон

Методы формирования наклонного профиля контактных окон. Известно, что при плазменном травлении (ПТ) слоев диоксида кремния, носящим ярко выраженный анизотропный характер, профиль травления получается вертикальным или близким к вертикальному. При толщинах слоя межслойной изоляции порядка 1 мкм это приводит к обрыву слоя металла на рельефе контактного окна.

Для получения наклонного профиля контактного окна до недавнего времени использовались различные технологические приемы:

         первый способ связан с формированием наклонного профиля фоторезистивной маски. При последующем плазменном травлении контактных окон через такую маску образуется наклонный профиль травления окисла кремния за счет постепенного увеличения размеров окна фоторезистивной маски в процессе травления благодаря стравливанию фоторезиста;

         во втором способе используется многослойный межслойный диэлектрик, в котором верхний слой (или слои) при проведении плазменного травления травится изотропно, а нижний — анизотропно;

         третий способ реализуется путем специальной предварительной обработки верхней части слоя межслойного диэлектрика, которая приводит к увеличению изотропности травления этой верхней части;

         четвертый способ использует комбинацию жидкостного и плазменного методов травления, первый из которых обеспечивает изотропный, а второй анизотропный профиль травления.

Первый способ  отличается невоспроизводимостью, приводит к увеличению размеров переходных окон и становится неприемлемым для контактных окон с размерами менее 3 мкм. Все прочие перечисленные выше методы также имеют ряд существенных недостатков, например, ограничение минимального размера окна, увеличение общего количества технологических операций и, как  следствие этого, снижение выхода годных изделий и увеличение себестоимости производства.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector