Для увеличения выхода годных микросхем и полупроводниковых приборов,

. Для увеличения выхода годных микросхем и полупроводниковых приборов, а также повышения их электрофизических параметров необходимо, кроме всего прочего, обеспечивать высокое качество изоляции и металлизации (часто многослойных). Поверхность подложки после многочисленных предшествующих технологических операций становится рельефной, причем канавки, окна, выступы, ступеньки часто имеют крутые боковые стенки.

            При нанесении слоев изоляции и металлизации на крутых участках рельефа наблюдаются разрывы, сразу приводящие к браку, или сильные утончения, которые служат потенциальной причиной последующего брака.

Поэтому один из способов улучшения условий нанесения изоляции и металлизации заключается в проведении планаризации рельефа. Для этого используют процесс ионного травления (ИТ), чаще всего, в среде аргона.

При планаризации поверхности такие недостатки ионного травления, как сильная зависимость скорости травления от угла падения ионов                              ( где К(α) — коэффициент распыления при угле падения ионов α,  где К(0) — коэффициент распыления при нормальном падении ионов, NИ — количество бомбардирующих ионов N0 — атомная плотность материала мишени) и низкая селективность травления различных материалов выступают в качестве достоинств. Планаризация рельефа может достигаться несколькими способами. Наиболее простой – ИТ, в течение которого верхние углы рельефа за счет зависимости скорости травления от угла падения ионов сглаживаются до углов 40-500 (отсчет от нормали к поверхности). На рисунке 1 представлены этапы формирования наклонного профиля межслойной изоляции и двухуровневой металлизации.

Другой способ планаризации состоит в нанесении на рельефную подложку слоя фоторезиста (полиимида, SOG) толщиной, на 20-30% большей, чем высота исходного рельефа, его стандартной обработке и последующем ИТ. После стравливания планаризующего покрытия на выступах рельефа из-за малой разности скоростей ИТ функциональных слоев и слоя фоторезиста (полиимида, SOG)  происходит сглаживание рельефа, которое по достижении нужной степени может быть оставлено с последующим удалением остатков резиста (полиимида, SOG) в растворителях или кислородной плазме.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector