Поэтому необходимо произвести планаризацию рельефа

Поэтому необходимо произвести планаризацию рельефа, чтобы улучшить условия нанесения изоляции и металлизации.

При планаризации поверхности такие недостатки ИТ, как сильная зависимость скорости травления от угла падения ионов, переосаждение распыляемого материала и низкая селективность травления различных материалов, выступают в качестве достоинств. Планаризация рельефа может достигаться несколькими способами. Наиболее простой – нанесение функционального слоя несколько большей толщины, чем технологически необходимо, с последующим его ИТ, в течение которого слой приобретает нужную толщину, а боковые стенки рельефа за счет зависимости скорости травления от угла падения ионов и переосаждения распыленного материала сглаживаются до углов 40-500 (отсчет от номали к поверхности).

Другой способ планаризации состоит в нанесении на рельефную подложку слоя фоторезиста или полиимида толщиной, на 20-30% большей, чем высота исходного рельефа, его стандартной обработке и последующем ИТ. После стравливания полиимида на выступах рельефа из-за малой разности скоростей ИТ функциональных слоев и слоев фоторезиста или полиимида происходит сглаживание рельефа, которое по достижении нужной степени может быть оставлено с последующим удалением остатков резиста (полиимида) в растворителях или кислородной плазме.

Высокая эффективность очистки поверхности материала от различных загрязнений и адсорбированных газов, простота реализации и возможность интеграции в одной вакуумной камере с процессами и устройствами осаждения делают Ионное травление незаменимым для предварительной очистки подложек в одном вакуумном цикле перед нанесением функциональных слоев. Стандартная жидкостная химическая обработка в качестве предоперационной очистки поверхности пластин, например, GaAs при производстве СВЧ-приборов, основанных на эффекте Ганна, выполняя свою основную функцию, одновременно загрязняет поверхность материала продуктами химических реакций, которые трудно удалить даже на заключительных стадиях обработки. Эти загрязнения отрицательно влияют на структуру и электрические свойства переходной области контакта металл – полупроводник, что значительно ухудшает основные параметры диодов (выходную мощность, уровень шумов и др.). Очистка пластин с помощью ИТ, проводимая в едином технологическом цикле с последующим нанесением материала контактов, позволила на порядок снизить контактное сопротивление (до 10-5 Ом/см2) и значительно увеличить выход годных приборов (от 30-35% до 70-75%).

Отмечается, что хороший омический контакт к кремнию n-типа золотых пленок при их высокой адгезии удавалось получить только с предварительной очисткой поверхности кремния ИТ в ВЧ-разряде аргона. Улучшение отражающей способности и удельного сопротивления алюминия наблюдается при использовании предварительной очистки подложек с помощью ИТ в ВЧ-разряде аргона. Эффективность предварительной очистки поверхности подложек с помощью ИТ перед нанесением функциональных слоев оказалась так высока, что в настоящее время практически все системы для нанесения материалов с помощью испарения и распыления снабжены устройствами для ионной очистки.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector