Коэффициент распыления зависит не только от природы бомбардирующих ионов

Коэффициент распыления зависит не только от природы бомбардирующих ионов, но и от природы мишени, причем определяется положением распыляемого элемента в периодической системе и обратно пропорционален его теплоте сублимации. Часто используемые в микроэлектронике материалы – палладий, платина, золото – имеют высокий коэффициент распыления, тогда как углерод, титан и тантал – низкий, что указывает на возможность их применения в качестве маскирующих слоев. При нормальной ионной бомбардировке поликристаллических материалов с гладкой поверхностью К больше на границах зерен и распыление сопровождается выявлением структуры материала и образованием топографического рельефа в виде конусов, кратеров, выступов, впадин и др. С увеличением угла падения ионов гладкость обрабатываемой поверхности увеличивается. У каждого материала существует оптимальный угол полировки, который в общем случае не совпадает с  Шероховатые поверхности имеют меньший К, чем гладкие. Это связано с частичным улавливанием распыленных атомов соседними микронеровностями. Однако по мере удаления поверхностного слоя К для поверхностей с различной чистотой обработки выравнивается (у гладких поверхностей К понижается, у шероховатых – возрастает), приближаясь к определенной величине, характерной для топографии поверхности, сформированной только за счет ионной бомбардировки. Коэффициент распыления материала зависит и от ряда других параметров: температуры мишени, давления рабочего газа в камере и др.

 

 Системы. Наиболее распространенные варианты конструкций системы ИТ приведены на рис.6.2 и 6.3.

Планарная диодная система (рис.6.2) содержит два дисковых электрода: заземленный (анод) и ВЧ-электрод, на который подается напряжение от ВЧ-генератора. В диодной ВЧ-системе возможность ИТ любых материалов (металлов, полупроводников, диэлектриков, органических соединений и др.) сочетается с простотой конструкции и большой площадью ВЧ-электрода, на которой обеспечивается равномерная ионная бомбардировка.

К основным параметрам диодной ВЧ-системы относятся давление рабочего газа Р, межэлектродное расстояние dм.э., мощность Wвч, и частота ВЧ-разряда f. Типичные значения основных параметров в диодных ВЧ-системах: Р=0,66-6,6 Па, dм.э=4-8 см, Wвч=1-4 кВт, f=440 кГц, 1,76,5,28, 13,56 и 27,12 МГц при плотности ионного тока jи =1-2 мА/см2.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector