Структура – полупроводниковый образец, содержащий область с большим градиентом химического состава.

Структура – полупроводниковый образец, содержащий область с большим градиентом химического состава.

Гомоструктура – образец, в котором область с большим градиентом химического состава сформирована изменением концентрации примеси.

Гетероструктура – образец, в котором область с большим градиентом химического состава сформирована изменением основного химического состава. Область гетероструктуры, в которой нарушена электронейтральность, называют гетеропереходом.

Для гетероструктур изменяется ширина запрещенной зоны (меняются основные свойства материала). Основное применение гетероструктур связано с эффектом сверхинжекции: если в анизотипном гетеропереходе носители инжектируются из широкозонного полупроводника в узкозонный, то эффективность инжекции по сравнению с обычным pn переходом возрастает в exp(DEi/kT) раз, где DEi – разрыв в соответствующей зоне.

Транзисторы с гетеропереходами используются в СВЧ технике и связи. Используются GaAs (более дорогие) и SiGe приборы.

 На SiGe изготовляют

IBM радио-  и телекоммуникационное  оборудование

Atmel интегральные схемы для беспроводных систем

Textronics – интегральные схемы для автоматического контроля и т.д.

Биполярные гетеротранзисторы (HBT) используют SiGe в качестве базовой области. Для тонких слоев SiGe напряжение сжатия, возникающее из-за встраивания более крупного атома Ge в кристаллическую решетку кремния, улучшает подвижность дырок. Смещение запрещенной зоны в переходе эмиттер – база также способствует достижению максимального быстродействия в HBT – транзисторах.  Механически напряженные SiGe слои в КМОП приборах повышают быстродействие p – канальных МОП структур почти на 20%.

Полупроводниковая оптоэлектроника – область, где доминируют гетероструктуры.

Гетероструктуры составляют основу современных полупроводниковых лазеров, волноводов, приёмников излучения.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector