Изучение конструкции и топологии гибридных интегральных микросхем

Микросхема — микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов.

Интегральная микросхема (ИС) — микросхема, все или часть элементов которой нераздельно связаны и электрически связаны между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.

Элемент интегральной микросхемы — часть интегральной микросхемы, выполняющая функцию какого-либо радиоэлемента, которая выполнена нераздельно от подложки или кристалла и не может быть выделена как самостоятельное изделие.

Активные электрорадиоэлементы выполняют сложные функции преобразования электрических сигналов (транзистор, диод, тиристор и др.), а пассивные выполняют простые функции (резистор, конденсатор и др. ).

Компонент интегральной микросхемы — часть ИМС, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие; так в полупроводниковой ИС транзистор является элементом, а в гибридной ИС — компонентом.

Компонент может быть отделен от ИС и использован в составе другого изделия.

В микроэлектронике используют пленочные, гибридные и полупроводниковые ИС.

Пленочная интегральная микросхема — интегральная микросхема, элементы которой выполнены в виде пленок, расположенных на диэлектрической подложке. Пленочные ИС могут быть тонкопленочными и толстопленочными.

Тонкопленочная интегральная микросхема — пленочная ИС с толщиной пленок до 1 микрона (мкм), 1 мкм = 10-6. Элементы тонкопленочной ИС наносятся преимущественно методами термовакуумного осаждения и катодного распыления, или ионно-плазменного распыления.

Толстопленочная интегральная микросхема — пленочная ИС с толщиной пленок свыше 1 мкм, а реально 10-70 мкм. Элементы толстопленочной интегральной микросхемы наносятся на подложку методами трафаретной печати (толстопленочной технологии) путем продавливания паст (проводящих, диэлектрических, резистивных) через специальный сетчатый трафарет. Нанесенные на подложку пасты высушиваются, а затем вжигаются в подложку при температурах 600-900 oC.

Гибридная интегральная микросхема — интегральная микросхема, содержащая кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы. В зависимости от толщин пленочных элементов и технологии их изготовления ГИС могут быть тонкопленочными и толстопленочными. Конструкция тонкопленочной ГИС представлена на рис. 1.

Кристалл — часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы все элементы полупроводниковой интегральной микросхемы.

Полупроводниковая интегральная микросхема – микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.

Корпус интегральной микросхемы — часть конструкции ИС, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соедине­ния с внешними электрическими цепями с помощью выводов.

Подложка интегральной микросхемы — заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.

Плата интегральной микросхемы — часть подложки (подложка) гибридной (пленочной) ИМС, на поверхности которой сформированы все пленочные элементы, соединения и контактные площадки.

Контактная площадка — металлизированный участок на плате, служащий для соединения выводов элементов, компонентов, кристаллов, перемычек, а также для

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector