Еще одним преимуществом метода является возможность формирования области

Еще одним преимуществом метода является возможность формирования области, ограничивающей распространение инверсного канала таким образом, что она автомати­чески совмещается с активной областью транзистора. Доза ионной  имплантации  при  легировании ограничительных областей лежит в диапазоне 1012—1013 см-2, а глубина ионной имплантации подбирается так, чтобы после окисления в слоях кремния, расположенных под окислом, осталось достаточное количество бора. Слишком сильное легирование ограничивающих областей приводит к увеличению емкости между областями истока-сто­ка и подложкой, снижению напряжения пробоя переходов и увеличению чувствительности порогового напряжения к эффек­там сужения ширины канала.

Процесс локального окисления подробно рассмотрен на рис. 3.1, г-ж. Этот процесс аналогичен процессу, используе­мому для изоляции биполярных приборов, за исключением того, что при изоляции   полевых   МОП-транзисторов   изолирующий локальный окисел не должен пронизывать  всю  толщину эпитаксиального слоя. После формирования топологического рисун­ка будущей изоляции и проведения ионной имплантации  для создания  ограничивающих  областей   (рис.  3.1, г)    изолирую­щий окисел селективно выращивается вокруг активных областей схемы. Толщина локального окисла составляет обычно несколь­ко сотен нанометров. Чем тоньше изолирующий   окисел,   тем меньше возникающее при его росте образование типа «птичий клюв» и тем более плоской является поверхность    структуры. Однако слишком тонкий окисел приводит к низким  пороговым напряжениям паразитного транзистора и увеличению   емкости между поликремнием и подложкой.   Недостаток   процесса  ло­кального окисления заключается в том, что в ходе   окисления поверхность кремния под пленкой нитрида кремния может пов­реждаться, поскольку выделяющийся при высокотемпературной обработке из пленки нитрида кремния NH3 может вызывать

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector