. Изоляция интегральных МОП-транзисторов

Тенденции в современной полупроводниковой промыш­ленности включают в себя постоянное повышение быст­родействия, добавление допол­нительных функций, снижение энергопотребления и разме­ров устройств одновременно с уменьшением времени разра­ботки. Для достижения этих целей разработчики микросхем стараются «уплотнять» струк­туру кристаллов, используя для этого более «тонкие» техно­логические нормы и повышая концентрацию компонентов на единицу площади. К сожале­нию, при этом увеличивается омическое сопротивление и ко­эффициент усиления по току паразитных pnp и npnтранзисторов, что, в свою очередь, повышает вероятность возникновения тиристорно­го эффекта.

На рис. 3.1, а показаны два смежных n-канальных  полевых транзистора.  Направление  проводимости   актив­ных транзисторов перпендикулярно поликремниевому затвору. Под поликремниевым затвором между транзисторами возника­ет паразитный транзистор   (рис.  3.1, б и в). Если   пороговое напряжение паразитного транзистора слишком низкое, то между n+-областями соседних активных транзисторов может образо­ваться инверсный слой, который соединит эти области между собой. Поэтому, чтобы избежать   возникновения   подпороговой проводимости  между соседними транзисторами, пороговое на­пряжение паразитного транзистора должно быть очень высо­ким. Этого можно достичь путем формирования толстого окисного слоя между активными транзисторами или путем увеличе­ния в этом месте уровня легирования подложки.

Методы создания изоляции представлены на рис. 3.1,б и в. На рис. 3.1,б показан простой метод,  заключающийся в вы­ращивании толстого слоя окисла по всей поверхности подлож­ки, в котором впоследствии вскрываются окна для формирова­ния активных транзисторов (в дальнейшем во вскрытых окнах выращивается тонкий окисный слой). О другом методе — мето­де   локального   окисления — дает  представление   рис.   3.1, в. Этот метод обладает

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector