. Разработка технологии изготовления КМОП ИС

Первым шагом является создание маскирующего слоя на поверхности слаболегированной см-3) подложки р-типа.Затем с помощью фотолитографии формируют карман, необходимый для создания в нём структуры р-канального транзистора

Далее выращивают плёнку SiO2, выступающую в качестве буферного слоя. Этот слой защищает поверхность Siот возникновения дефектов в ходе последующего ионного легирования. После этой операции для восстановления разрушенной структуры Si и активации внедренной примеси проводят  высокотемпературный отжиг

 Следующим этапом является создание охранных (р-типа) и изолирующих областей Охранные области p-типа необходимы для предотвращения распространения инверсного канала между n-карманом и областью истока

n-канального транзистора.

Затем следует осаждение нитрида кремния Si3N4 , который является маской для Si в процессе локального окисления. Далее слои промежуточного окисла и нитрида кремния удаляются, и снова выращивается тонкий слой подзатворного диэлектрика ).

Дальнейшим шагом является осаждение поликремния Si*, затем легирование  его примесью   n-типа и формирование затворов . Потом следует создание сток-истоковых областей . Для предотвращения смыкания  ОПЗ истоков со стоками используют спейсеры ). Далее осуществляется осаждение ФСС (фосфоросиликатное стекло) и его оплавление. Осажденное фосфоросиликатное стекло выполняет несколько функций. Фосфор в таком стекле защищает лежащую под ним структуру прибора от подвижных ионов, и, кроме того, он делает стекло вязким, облегчая его оплавление при повышенной температуре. Помимо этого ФСС  изолирует металлический слой от поликремниевых шин. Заключительным этапом является формирование контактных окон и напыление металла

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector