Использование для экспонирования мощных ртутных ламп

Использование для экспонирования мощных ртутных ламп вызывает нагрев столика установки совмещения и самого фотошаблона со слоем фоторезиста. Это может привести к возникновению негативного изображения, особенно если экспозиция подобрана неверно и является слишком большой. Например, негативное изображение на слое позитивного резиста образуется под действием побочных реакций, инициируемых нагревом или  большей экспозицией и дающих продукты, не растворимые в щелочном проявителе. Для снижения или даже полного устранения воздействия теплового излучения во время экспонирования в конструкцию световода в установках совмещения вводится ИК-фильтр или отбирается тепловое излучение при отражении потока от лампы зеркалом. Хромированные фотошаблоны имеют недостатки, заключающиеся в паразитном отражении света от хромовой пленки и связанным с ним интерференционным явлением, что затрудняет визуальный контроль через непрозрачные области за совмещением изображения фотошаблона с изображением на подложке.

Эти недостатки можно устранить, если на материал заготовки фотошаблона нанести покрытие, прозрачное в видимой области спектра, неактиничной (нечувствительной) к фоторезисту. Этим требованиям отвечают транспарентные (или цветные) фотошаблоны. Для уменьшения эффектов отражения рекомендуется в качестве масочных покрытий использовать материалы из ряда диэлектриков или полупроводников (моноокись кремния, окислы железа и др.). Покрытия из этих материалов получают в большинстве случаев вакуумным напылением.

Рассматриваемый и широко применяемый в промышленности контактный способ экспонирования, строго говоря, является контактным условно. За счет неровностей поверхностей фотошаблона и экспонируемой подложки между ними практически всегда существует зазор. Так, неровности поверхности фотошаблонов составляют
10
¸ 5 мкм на подложке диаметром 75 ¸ 150 мм.

Размеры элементов на подложке по отношению к размерам на фотошаблоне изменяются в зависимости от величины зазора: на каждые 10 мкм зазора размер элемента изменяется примерно на 0,3 мкм.

При сравнительно больших размерах элементов структуры ИС можно специально создавать зазор между фотошаблоном и подложкой, не вызывая серьезного изменения геометрических размеров элементов (и связанных с ними параметров ИС). Благодаря

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector