Что характеризует фактор неидеальности ВАХ реального диода?

1.      При каких допущениях справедливо выражение для ВАХ идеального диода?

2.      Объяснить природу теплового тока идеального диода и влияние физических и геометрических параметров p- и n-областей перехода на этот ток.

3.      Какова причина температурной зависимости тока насыщения идеального диода?

4.      В чем состоит отличие ВАХ реального диода от идеального?

5.      В чем причина сдвига между ВАХ германиевого и кремниевого диодов вдоль оси напряжений?

6.      Какова причина температурной зависимости прямой ветви ВАХ диода?

7.      Как зависит от тока ТКН прямой ветви ВАХ идеального диода?

8.      В чем состоит влияние токов термогенерации и рекомбинации на ВАХ реальных диодов?

9.      Каким выражением аппроксимируется ВАХ реального диода с учетом объемного сопротивления базы?

10.Каково влияние  на ТКН диода?

11.Как определяется дифференциальное сопротивление и сопротивление по  постоянному току?

12.Что называют током омического вырождения диода?

13.Что характеризует фактор неидеальности ВАХ реального диода?

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

1.      СТАРОСЕЛЬСКИЙ В.И. Физика p-n переходов и полупроводниковых диодов. М.: МИЭТ, 1986. С. 36-73.

2.      СТАРОСЕЛЬСКИЙ В.И. Электронный конспект лекций по курсу «Элементы твердотельной электроники и физики полупроводниковых приборов», часть 1, разделы 5-6.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector