Для удаления слоев SiO2 на кремниевых пластинах

Для удаления слоев SiO2 на кремниевых пластинах  использовался водный раствор плавиковой кислоты. Существуют другие способы удаления слоев оксида кремния.

Процессы обработки кремниевых пластин проводились погружением и аэрозольно-капельным распылением растворов. При обработке методом погружения применялись растворы: аммоний гидродифторид; разбавленный водный раствор плавиковой кислоты различной концентрации. В указанных растворах на полупроводниковом производстве проводят процессы химического травления оксидного слоя кремния, удаление слоев фосфоросиликатного стекла, борфосфоросиликатного стекла, освежения поверхности перед операциями напыления слоя металла и в других  случаях.

Ионы фтора, выделяющиеся при диссоциации фтористого аммония, способствуют связыванию SiF4 в комплекс[SiF6]2-.

стравливание слоя SiO2 (до «скатывания»). «Скатывание» визуально определялось по приобретению поверхности подложки гидрофобных свойств. Процессы анизотропного травления кремния проводятся в растворах щелочей. Глубина травления являляется конечной измеряемой величиной.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector