Характерными тенденциями развития современного полупроводникового производства являются повышение степени интеграции

Характерными тенденциями развития современного полупроводникового производства являются повышение степени интеграции элементов на кристалле, увеличение диаметра пластин с соответствующим уменьшением топологических норм, что определяет нормы чистых производственных помещений (ЧПП) и критические размеры загрязняющих частиц в используемых средах и помещениях. Увеличение плотности дефектов на кремниевой пластине в современном микроэлектронном производстве экспоненциально уменьшает выход годных. Требования к чистоте поверхности зависят от уровня реализуемой технологии и параметров изготавливаемого изделия. Поэтому целью очистки является достижение такого количества остаточных загрязнений, которые не являются помехой для последующих технологических процессов. Существует настоятельная потребность в высококачественной и в тоже время высокоскоростной технологии химической обработки Si пластин.

В таблице 10.1 представлены параметры ИС. Размер загрязнений на пластине должен быть на порядок меньше минимального топологического размера элементов. C уменьшением размеров элементов и межсоединений в СБИС частицы малых размеров будут оказывать все большее отрицательное влияние на работу приборов.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector