Значительная часть полупроводниковых материалов, в том числе кремний, имеют структуру решетки типа алмаза,

Значительная часть полупроводниковых материалов, в том числе кремний, имеют структуру решетки типа алмаза, характеризующуюся наличием тетраэдрических связей: у каждого атома есть четыре ближайших соседа, взаимодействующих силами ковалентных связей. Это выглядит так, как если бы в элементарную гранецентрированную кубическую ячейку, вдвинули вторую, повернутую относительно первой на четверть постоянной решетки.

Такая структура кремния показывает более плотную упаковку атомов в плоскости (111) (или направлении [111]), по сравнению, например, с плоскостью (100) (направлением [100]), которая проявляется при анизотропном травлении, а также влияет на механические характеристики кремния.

В анизотропном материале, например Si и Ge, величина модуля Юнга E зависит от кристаллографического направления. Полное напряженное состояние твердого тела определяется девятью компонентами тензора напряжений skl, из которых три компонента с одинаковыми индексами являются растягивающими (или сжимающими) напряжениями, а остальные шесть — напряжениями сдвига. В состоянии равновесия skj=slk, поэтому в общем случае имеется шесть независимых компонентов тензора напряжении.

Под действием напряжений возникают деформации твердого тела, которые, подобно тензору напряжений skl, характеризуются тензором деформации eij. Тензор деформации так же, как и тензор напряжений, является симметричным тензором,

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector