Это также позволяет динамически контролировать пороговое напряжение путем смещения потенциала на подложке.

Это также позволяет динамически контролировать пороговое напряжение путем смещения потенциала на подложке. Хороший контроль над коротким каналом может быть достигнут путем использования ширин полос больше, чем длина затвора (для смягчения литографических требований), если высота полосы под затвором меньше, чем 2Lg/3. Таким образом, эффективность модели трехзатворной структуры на обычной подложке (т.е. эффективная ширина канала на полосу) существенно лучше, чем оная в КНИ TGMOSFET. Если для формированя полос с очень хорошим соотношением ширины отступа к ширине самой полосы используется технология производства, например литография спейсеров или множественное формирование структуры, то эффективность модели трехзатворного MOSFET на обычной подложке может быть сравнима (или даже лучше) с оной у обычного транзистора, выполненного по планарной технологии. Заметим, что полосы имеют соотношение сторон <1, и только мелкозалегающая щелевая изоляция (VSTI) подходит для их разделения. Глубина VSTI изоляции может меньше (до 10 раз), чем глубина STI, используемой для изоляции между транзисторами. (Как правило, подавления утечек исток-сток под STI изоляцией, ее глубина должна больше глубины залегания сток/истокового перехода). Таким образом, необходимы только плавники со сравнительно маленьким соотношением сторон (<2). Трехзатворные МОП ПТ на обычной подложке могут быть произведены, с использованием процесса, сходного с обычной планарной технологией, за исключением того, что в качестве исходного материала используется рельефная подложка. Таким образом, трехзатворный МОП ПТ может быть окончательным вариантом MOSFET технологии.

Важно отметить что структура TGbulkMOSFET позволяет добиться меньших паразитных сопротивлений сток/истока () чем для плоских полевых транзисторов, потому что он не нуждается в UTB (UltraThinBulk) или узких пленках. В сравнении с планарными полевыми транзисторами, он обеспечивает меньшую площадь сток/истоковых областей по сравнению с площадью канала, а, следовательно, меньшее без существенного увеличения паразитной емкости затвора (из за VSTI оксида между полосами, которое толще чем ). Так как паразитные емкости и сопротивления увеличивают лимит характеристик транзистора [165], это существенное открытие в архитектуре TGbulkMOSFET. К тому же, отказ от UTB или очень тонких пленок помогает избежать отклонений в токах включенного и выключенного состояний из за эффекта функции распределения примиси.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector