Для удовлетворения четвертому требованию обязателен независимый нижний затвор или непосредственный контакт к подзатворной области

Чтобы удовлетворить первому требованию, концентрация примеси в подзатворной области должна быть низкой. Для выполнения второго требования необходима многозатворная структура. Для достижения 3-го требования нужно избегать толщины канала менее 5нм и соотношения размеров плавника (высота/ширина) > 3. Для удовлетворения четвертому требованию обязателен независимый нижний затвор или непосредственный контакт к подзатворной области. И хотя пятое требование не критично, оно благоприятствует созданию структуры, которая обеспечивает широкую эффективную ширину на высоту. Из всех вышеупомянутых тонкоканальных транзисторных структур, только планарная BGMOSFET структура может удовлетворить всем этим требованиям, хотя она не обеспечивает лучших возможных характеристик схем. BGTGMOSFET может в принципе удовлетворить всем требованиям, кроме эффективности модели, несмотря на то, что он имеет слабый эффект нижнего затвора. Однако, практическая сложность для BGMOSFET технологии – доступность и цена КНИ подложек с очень тонким (<10нм толщиной) оксидным слоем.

         Еще один выход для непрерывного CMOS масштабирования – развитие обычной планарной МОП ПТ технологии в мультизатворную структуру. Это может быть выполнено разделением области канала на параллельные полосы одинаковой ширины, накрытые затвором сверху, как показано на Рис. 8.9. (на практике такая рельефная структура может быть достигнута уменьшением оксидного слоя между полосами перед формированием затвора, как это делается в производстве FinFET). Для пресечения подповерхностных утечек и смягчения скачков порогового напряжения из-за RDF (случайных флуктуаций примеси) необходимо очень крутое ретроградное легирование канала. Так как затворный электрод обволакивает весь канал, количество изменения заряда на единицу ширины меньше, чем у обычного планарного устройства, так что изменения порогового напряжения из-за флуктуаций примеси уменьшены. Использование виртуальной “земли” позволяет обычной трехзатворной МОП ПТ структуре достичь лучшей электростатической управляемости, чем у трехзатворной структуры на КНИ подложке, т.к. проникновение электрического поля в сток через оксид

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector