Если планарная DG-структура повернута на 90◦ относительно оси, параллельной направлению тока

Если планарная DG-структура повернута на 90◦ относительно оси, параллельной направлению тока (Рис. 8.4(c)), традиционной последовательностью операций можно изготовить DGMOSFETc превосходно выровненными передним и задним затворами, из чего следует: Во-первых, КНИ подложка взята за образец для формирования узких участков кремния (“fins”) путем обычной литографии и травления. Заметим, что  тонкий диэлектрический слой может быть использован как маска для плавника (узкий участок кремния, являющийся частью канала) в этом процессе. Впоследствии слои подзатворного диэлектрика и электрода затвора формируются вокруг плавников. Затем затворный слой служит шаблоном для формирования линейных затворных электродов, которые накрывают плавники, закрывая вертикальные стенки. Если нет тонкого диэлектрического маскирующего слоя на верхних поверхностях плавника, то они тоже закрываются. В этом случае полученные транзисторные структуры в основном рассматриваются как мульти-затворные (MuG) ПТ. Как правило, чтобы увеличить подвижность основных носителей, а также надежность устройства, этап окисления  может быть использован для устранения повреждений поверхности от травления и высокотемпературного отжига а отжиг в водородной среде может быть использован

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector