Инерционность диода описывается с помощью барьерной и диффузионной емкостей, шунтирующих p-n переход.

1.                       Инерционность диода описывается с помощью барьерной и диффузионной емкостей, шунтирующих pn переход.

2.                       Барьерная емкость вызвана накоплением разноименно заряженных ионов примесей, разнесенных по внешним границам p и n областей перехода. Величина барьерной емкости зависит от напряжения на переходе и обратно пропорциональна ширине перехода.

3.                       Диффузионная емкость вызвана накоплением избыточных носителей заряда в базе, проявляется при прямом включении диода, ее величина пропорциональна току через диод (при I » Is). В диоде с длинной базой диффузионная емкость пропорциональна времени жизни неосновных носителей заряда, в диоде с длинной базой диффузионная емкость пропорциональна времени движения этих носителей через базу.

4.                       При выключении диода задержка установления высокого обратного сопротивления вызвана рассасыванием избыточных носителей заряда в базе, т.е перезарядкой диффузионная емкости.

5.                       При включении диода задержка установления низкого прямого сопротивления вызвана временем перезарядки барьерной емкости до нулевого напряжения.

 

 

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector