Диффузионная емкость

При положительном смещении на pn переходе образуется определенное пространственное распределение концентрации избыточных носителей заряда в областях базы и эмиттера (см. раздел 4.1. «Модель идеализирован-ного диода», Распределение концентраций электронов и дырок).

Накопление в области базы заряда инжектированных эмиттером избыточных дырок в условиях локальной электронейтральности () создает электрическое поле, которое вытягивает из омического контакта компенсирующий заряд электронов (движение электронов справа налево). Аналогичным процессом накопления подвижных зарядов в эмиттере можно пренебречь благодаря одностороннему характеру инжекции (см. окончание раздела 3.4 «Граничные условия»). Таким образом, имеет место протекание в цепи диода  заряда, изменяющего заряды эмиттерной и базовой областей на заряд избыточных дырок +Qб и заряд избыточных электронов —Qб .

Влияние процессов накопления в квазинейтральной базе на цепь диода идентично подключению диффузионной емкости параллельно безынерционному диодный элемент со стационарной ВАХ диода.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector