Проявления инерционности при переключении от состояния к состоянию

Проявления инерционности при переключении от состояния к состоянию (проводящее и непроводящее состояния):

1) временная задержка установления высокого обратного сопротивления после подачи на открытый диод запирающего напряжения,

2) временная задержка установления прямого напряжения

после подачи на закрытый диод отпирающего напряжения.

 

Проявление инерционности в режиме малого сигнала: реактивная составляющая импеданса (адмиттенса).

 

Физические процессы, приводящие к инерционности:

1)                     Изменение ширины pn перехода, соответствующее

            изменение полного положительного и отрицательного заряда

            (накопление заряда) в области pn перехода.

2)                     Изменение полного заряда (накопление заряда)

             неосновных носителей, инжектированных из эмиттера в базу

            (в меньшей мере, из базы в эмиттер).

Оба процесса связаны с токами конечной величины, поэтому не могут происходить мгновенно, требуя конечного времени.

 

7.2. Барьерная емкость

Накопление (утрата) заряда в области pn перехода при малом изменении напряжения на переходе dU>0, например, ведет к протеканию в цепи диода  заряда, изменяющего заряды эмиттерной и базовой областей перехода на +dQ и —dQ соответственно. (Сужение pn перехода, нейтрализация «вычитаемых» частей области перехода дырками и электронами из внешней цепи, электронейтральность всего pn перехода в целом).

Аналогичные процессы в плоском конденсаторе, емкость которого

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector