представлены схема технологического процесса

Ну и, наконец, о состоянии развития в НИИФП нанотехнологии и микромеханики. Иллюстрируется состояние НТ в НИИФП    настоящего  доклада, на котором перечислены развиваемые у нас области НТ и микромеханики, наноматериалы, наноэлементы и наноустройства, а также состояние развития соответствующих технологий и оборудования.

На сл.14 перечислен спектр разрабатываемых в НИИФП базовых наноэлементов и устройств.

Сл.15 представляет основные характеристики УНТ, обеспечивающие уникальность этих структур и эффективность их использования в автоэмиссионной и наноэлектронике.

На последующих слайдах (сл.16…сл.20) представлены изображение массивов УНТ и одиночных структур УНТ, автоэмиссионных характеристик планарных автоэмиттеров на основе УНТ, а также изображение и схематическое представление планарного автоэмиттера и трехэлектродной конструкции автоэмиттера-разветвителя и его характеристик.

На сл. 21 представлены схема технологического процесса ориентированно-направленного роста УНТ, основанного на использовании комплексной процедуры импринтинга наноразмерной толщины пленок алюминия и последующего процесса его электролитического окисления.

На сл.22 и сл.23 представлены картины РЭМ изображения матриц пористого алюминия,  полученных в условиях самоорганизации пор при электрохимическом окислении алюминия. Указанные матрицы, предполагается использовать для ориентации УНТ.

На сл. 24 схематически представлены базовые схемы и устройства на основе УНТ: матричный плоский экран, детектор, микропереключатель, триггер.

 

На сл.25 представлено РЭМ изображение периодической структуры, сформированной в поликристаллической алмазной пленке, и зависимости коэффициента умножения потока электронов от энергии электронов первичного пучка, в режиме «на отражение».

 На сл.26 и сл.27 представлены характеристики умножения первичного электронного пучка сплошной пленкой (сл.26) в режимах «на отражение» и «на просвет», и пленкой сетчатой структуры в режиме «на просвет».

Высокая эффективность умножения электронов первичного пучка разработанными нами алмазными структурами, подтверждается результатами представленными на сл.28, и коэффициентами умножения нашими алмазными сетчатыми структурами в составе ЭОП (до 50 раз), при разрешении ~ 50…70 линий/мм.

На базе указанных алмазных пленок, с использованием разрабатываемой у нас в отделе технологии каталитического травления, разрабатываются наноструктурированные алмазные сетки, которые могут быть использованы, например, в качестве умножителей потока электронов с высоким разрешением и в качестве масок. 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector