В особый класс следует, видимо, выделить элементную базу низкотемпературной наноэлектроники

В особый класс следует, видимо, выделить элементную базу низкотемпературной наноэлектроники.  даны представители такой элементной базы, характерные параметры, список решаемых задач и областей применений. – В силу высокой чувствительности устройств такой элементной базы их использование особенно эффективно при решениях метрологических задач, а также задач, связанных с диагностикой объектов характерные размеры и частоты которых находятся между радио и оптическим диапазонами частот. Несмотря на кажущуюся экзотичность подобных элементов, эффективность их использование в представленных в таблице слайда областях подтверждается в экспериментах.

Представление об эффективности новой элементной базы, дают диаграммы сл.8, представляющие сравнительные тенденции в эффективности заполнения временного, энергетического и координатного пространств схемами на основе CMOS и singleelectronics. Видно, что в малосигнальной и высокочастотной областях, при низких температурах, схемы на основе CMOSне конкурентно–способны схемам на основе новой элементной базы.        

Что касается элементной базы микроэлектромеханики. – К наиболее развитым на сегодня технологиям MEMS следует отнести: балочную, консольную и мембранную. Используемые матиериалы: кремний, титан, алюминий, оксид алюминия, поликремний и оксиды и нитриды кремния.

При создании на базе микромеханических элементов микроустройств используются такие физические эффекты, как: пьезоэлектрический, электрострикционный, электромагнитный, электродинамический и электротермический эффекты. На сл. 9 представлен ряд микромеханических устройств, даны их характеристики и области использования. Следует обратить внимание на высокую добротность и низкие потери активных и реактивных компонент ИС, изготовленных на их основе.

Из выше сказанного следует необходимость создания инфраструктуры нанотехнологий и нано- (микро-) электронных компонент, включающей возможные устройства, материалы и требования к ним, необходимые технологии, технологическое и диагностическое оборудование. В частности, на сл. 10 представлена структурная схема, включающая перечисленные разделы, с учетом состояния их разработки на сегодняшний день, и системы, в которых новая элементная база нашла свои применения.

Выше на примере развития одной из областей НТ – УНТ, была представлена динамика инвестиций в эту область. На настоящем слайде (сл.11) представлены оценочные бюджеты развитых стран в наноэлектронику и нанотехнологии и бюджеты ее отдельных секторов. Как видим, доля участия наших государственных систем в настоящих разработках мизерна,- при таком отношении не следует ожидать завидного места России у будущего стратегически важного нанотехнологического и микросистемного пирога.

Следующий слайд (сл.12) демонстрирует наполнение нанотехнологического рынка России тематическими программами, фирмами и областями, которые они закрывают (громко сказано – скорее, метят). Обратим внимание на крайне малый суммарный объем финансирования указанных программ, отсутствия координации в работах указанных фирм по программам, и несмотря на это, на наличие малочисленных групп исследователей в каждой из основных областях нанотехнологии.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector