Данный прогресс в микроэлектронике

Данный прогресс в микроэлектронике в последние годы и дальнейшее развитие кремниевой технологии в 2000-х годах не возможен без применения в промышленной технологии низкотемпературной плазмы, которая используется в процессах травления и нанесения тонких пленок, и снятия фоторезиста. Широко изучается применение плазмы для процессов окисления, очистки поверхности пластин от органических и металлических загрязнений, планаризации поверхности пластин и ионной имплантации. Это подтверждается и тем, что с начала 90-х годов объем мирового производства плазменных реакторов для микроэлектронных производств возрос с 1 до 2 миллиардов долларов и продолжает интенсивно увеличиваться.

В технологии микроэлектроники плазменные процессы впервые были использованы для травления и плазмостимулированного нанесения. О возможности осаждения диэлектрических слоев ( SiO2 и Si3N4) в плазме тлеющего разряда было сообщено в 1965 году. Начало использования процессов травления в низкотемпературной плазме относится к концу 60-х годов. В основном процессы травления применялись для снятия фоторезиста в кислородной плазме, для очистки пластин, а также для изготовления уникальных по тем временам приборов с размерами элементов порядка 3 мкм. В этоже время применялось и ионное травление, обеспечивающее универсальность и простоту обработки материалов. Высокое разрешение, присущее процессам ИТ, в те годы еще не являлось решающим фактором, в то время как низкие значения основных технологических параметров процесса (селективность и скорость травления и как следствие – низкая производительность) делали процессы ионного травления неконкурентоспособными в массовом производстве ИС по сравнению с ЖХТ.

Положение коренным образом изменилось, когда в конце 60-х начале 70 –х годов стало интенсивно развиваться плазмохимическая

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector