развитии микроэлектроники

Одной из основных и постоянно действующих тенденций в развитии микроэлектроники является рост степени интеграции, связанный, в первую очередь, с уменьшением размеров элементов микросхем. В настоящее время мировая микроэлектроника вступила в очередной этап своего развития, характеризующийся переходом к размерам элементов 0,13 — 0,18 мкм и менее,  степенью интеграции более 108 транзисторов на одном кристалле и диаметром обрабатываемых пластин Æ = 200 – 300 мм. Формирование элементов с такими размерами, в первую очередь, стало возможным, благодаря внедрению в технологию микроэлектроники методов электронной, рентгеновской и ионной литографии, а также с совершенствованием уже известных и поиском новых технологий при создании СБИС. Из табл.1 видно, что с 1998 года минимальный размер уменьшится от 0,25мкм до 70 нм в 2010 году. При этом размер кристалла возрастет от 300 до 1400 мм2 , на котором можно будет разместить динамическое оперативное запоминающее устройство емкостью 64 Гбит. Кроме того, что уменьшаются размеры элементов СБИС, возрастает количество слоев металлизации. На рис.1 показан кристалл с 10-тью слоями металла.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector