Как и почему влияет на пороговое напряжение положение уровня Ферми в полупроводнике?

1.       Как связана величина порогового напряжения МДП-транзистора с концентрацией примеси в подложке?

2.       Как и почему влияет на пороговое напряжение положение уровня Ферми в полупроводнике?

3.       Какова зависимость Uпор от работы выхода электрона из материала электрода затвора?

4.       Классификация зарядов на границе раздела полупроводник-диэлектрик.

5.       Как влияет величина эффективного заряда на пороговое напряжение?

6.       Какое влияние на работу МДП-транзистора сказывают ионы щелочных металлов на поверхности кремния?

7.       Как влияет концентрация примеси в подложке на подвижность носителей в области канала МДП-транзистора?

8.       С какой целью проводится легирование поверхностей области МДП-транзистора?

9.       Какова связь между пороговым напряжением, толщиной и качеством подзатворного диэлектрика?

10.  В чем преимущество ионного внедрения по сравнению с диффузией при легировании поверхностной области транзистора?

11.  Как меняется Uпор  p-канального транзистора при введении донорной примеси в приповерхностную область?

12.  Как изменяется Uпор при введении акцепторной примеси в тот же транзистор?

13.  Как изменяется Uпор  n-канального транзистора при подлегировании поверхности донорной примесью? Акцепторной примесью?

14.  Какое значение имеет глубина введения легирующей примеси в поверхностную область транзистора?

 


Ссылка на основную публикацию
Adblock detector