концентрация и вид примеси в подложке

Получить задание у преподавателя: должны быть заданы следующие параметры:

— концентрация и вид примеси в подложке (Б –бор, Ф –фосфор, М – мышьяк) ,

— толщина подзатворного оксида кремния,

— величина заряда на границе раздела SiSiO2

— материал электрода затвора,

— вид примеси для подлегирования области канала,

— величина порогового напряжения, которую нужно получить,

— другие данные по усмотрению преподавателя.

2. Определить по рисунку 3.5 разность работ выхода металл-полупроводник для ввода данных в программу моделирования.

3. Подбирая величины энергии и дозы внедрения примеси, а также время и температуру термообработки, напряжения смещения на подложке, получить с помощью компьютерного моделирования и расчета в программе ФАКТ (Prowiz) заданную величину порогового напряжения.

4. Построить графики распределения примеси для выбранных режимов внедрения, пользуясь возможностями программы ФАКТ (Prowiz) .

 

 

1.1       Порядок выполнения работы

 

Получить у преподавателя значения следующих параметров:

а) концентрация примеси в подложке;

б) тип примеси в подложке;

в) плотность эффективного заряда на границе раздела полупроводник-диэлектрик;

г) толщина диэлектрика под затвором.

Используя программу «ФАКТ» (Prowiz), на персональном компьютере составить технологический маршрут формирования узла затвора МОП-транзистора:

0.       задание параметров подложки (концентрация примеси, тип примеси и т.д.);

1.       окисление в сухом кислороде O2 (температура, время, среда);

2.       нанесение материала затвора (температура 600-700°С).

Предварительные параметры для моделирования технологического маршрута и расчета электрофизических параметров приведены в таблице 3.2.

Промоделировать процесс термического окисления для формирования слоя подзатворного диэлектрика МОП-транзистора. Определить технологические режимы процесса окисления для получения заданной толщины слоя оксида.

Провести расчет пороговых напряжений трех МДП-транзисторов, отличающихся только материалом электрода затвора: (n+-поликремний, p+-поликремний и алюминий).

Ввести в исследуемый технологический маршрут перед операцией окисление операцию ионного легирования подложки (подгона порогового напряжения). Изменяя дозу легирования в диапазоне 0,05÷0,50мкКл/см2, получить зависимость порогового напряжения МДП-транзистора с поликремниевым затвором n+-типа от поверхностной концентрации примеси в положке.

Изменить технологический маршрут: поставить операцию «Ионное легирование» после операции «Окисление».

Изменяя энергию легирующих ионов в диапазоне 10÷100 кэВ при постоянной дозе легирования 0,6мкКл/см2, получить зависимость порогового напряжения МДП-транзистора с поликремневым затвором n+-типа от энергии легирующих ионов. Построить распределение примеси N(x) в области канала для нескольких значений энергий легирующих ионов и выбрать оптимальную величину энергии ионов.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector