Пороговое напряжение МДП-транзистора

Пороговое напряжение является одним из важнейших параметров МДП-транзистора. Как видно из (3.1) и (3.3), оно входит одним из слагаемых в выражение для тока стока, от его величины зависит напряжение питания схемы и ее быстродействие (3.4), а стабильность этого параметра определяет стабильность работы прибора.

Узел затвора МДП-транзистора представляет собой МДП-конденсатор, приповерхностный слой кремния в котором может находиться в трех режимах: обогащения, обеднения или инверсии – в зависимости от величины и знака напряжения, приложенного к металлическому электроду относительно подложки. Эти три состояния показаны на рисунке 3.4 для полупроводника pтипа.

Выражение для порогового напряжения реального МДП-транзистора имеет вид

 

                                      (

 

 

где Qэфэффективный заряд в системе полупроводник-диэлектрик; QBзаряд обедненного слоя полупроводника; ФМПконтактная разность потенциалов металл-полупроводник;  потенциал Ферми, или объемный потенциал полупроводника, определяемый положением уровня Ферми EF относительно середины запрещенной зоны Ei.


Ссылка на основную публикацию
Adblock detector