Увеличение скорости травления диоксида кремния можно наблюдать и при повышенных значениях рабочего давления

Из представленной на рисунке , а зависимости видно, что скорость процесса травления линейно растет с увеличением напряжением смещения на подложке. Это связано с увеличением энергии, бомбардирующих поверхность подложки ионов, так и их направленностью. Процесс проводился как в хладоне — 14, так и в хладоне-218 при расходе Q = 1,44 л/ч, ВЧ — мощности W = 350 Вт и давлении  в рабочей камере Р = 2 Па. При травлении в CF4 скорость травления SiO2 выше, чем при травлении в C3F8 не менее чем на 20%, что связано с большей полимеризующей способностью октофторпропана, которая позволяет увеличивать селективность травления SiO2 по отношению к Si.

При исследовании влияния ВЧ — мощности на скорость травления SiO2, ФСС в C3F8 и CF4 (рисунок 2.13, б и 2.13, г, соответственно) можно наблюдать рост скорости травления окисла по мере увеличения прикладываемой ВЧ-мощности. Это происходит вследствие роста энергии и концентрации электронов, способных ионизировать молекулы плазмы. От этих параметров прямо пропорционально зависит скорость генерации травящих частиц и, соответственно, скорость травления. Процесс проводился при давлении Р = 2 Па и напряжении смещения – Uсм = -70 В.

Увеличение скорости травления диоксида кремния можно наблюдать и при повышенных значениях рабочего давления (рисунок 2.13, в), что объясняется возрастанием концентрации травящих частиц в ВЧ — плазме и, соответственно, повышением их плотности на обрабатываемой поверхности. Процесс проводили при давлении Р = 2 Па и напряжении смещения – Uсм = -70 В. В качестве рабочего газа использовался хладон-14.

На рисунке 2.14 представлена зависимость влияния напряжения смещения подложки на селективность плазменного травления окисла по отношению к монокристаллическому кремнию. Процессы ПТ проводились в хладоне — 14 при давлении Р = 2 Па, мощности ВЧ — разряда W = 300 Вт и расходе рабочего газа QCF4  = 1,44 л/ч.

 


Ссылка на основную публикацию
Adblock detector