Для фторуглеродных газов, чья полимеризационная способность низка,

Для фторуглеродных газов, чья полимеризационная способность низка, таких, например, как CF4, CHF3, скорость травления окисла кремния главным образом зависит от ионного потока [9, 10]. При тех же условиях кремний покрывается относительно толстой фторуглеродной пленкой, толщина которой может, в зависимости от параметров процесса, изменяться от 2 до 8 нм. При энергии ионов 150 эВ глубина их проникновения ограничена 1-2 нм [11]. С увеличением толщины фторуглеродной пленки возможность достижения поверхности для различных ионов и потоков энергии уменьшается. Как только толщина растущей фторуглеродной пленки превышает 1 нм, недостаток направленной бомбардировки и энергии на поверхности кремния понижает важность ионностимулированного травления и в конечном счете травление кремния происходит только благодаря реакции с фтором, который способен проникать сквозь фторуглеродную пленку. Перенос нейтралов через фторуглеродную пленку толщиной, превышающей 1 нм, доминирует в процессе травления. Относительно толстая фторуглеродная пленка на поверхности кремния может быть объяснена тем фактом, что фтор из газовой фазы поглощается процессом травления фторуглеродной пленки и кремниевой подложки. Взаимодействие фтора с фторуглеродной пленкой приводит к формированию десорбирующихся частиц фторуглеродной пленки и уравновешивает осаждение фторуглеродной пленки, что приводит к устойчивому состоянию. Ионное распыление на поверхности дополнительно вносит свой вклад в десорбцию частиц фторуглеродной пленки. Толщина пленки саморегулируется так, что осаждение фторуглеродной пленки уравновешивается реакциями с ней атомов фтора. Часть потока фтора через фторуглеродную пленку реагирует с кремниевой подложкой и образует летучее соединение SiF4.

На рисунках 2.13 и 2.14 представлены зависимости влияния режимных параметров процесса анизотропного плазменного травления диоксида кремния на скорость травления и селективность.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector