Наличие фторуглеродной пленки на поверхности

Серьезные проблемы при плазменном травлении окисла кремния возникают из-за того факта, что обрисованный выше механизм травления представляет собой неполное решение, т.к. фторуглеродные пленки, подавляющие или замедляющие травление, формируются в некоторой степени на всех поверхностях. Окисел кремния при всех условиях покрыт довольно тонкой фторуглеродной пленкой (порядка 2-3 нм или менее). Для самых тонких пленок механизм травления может быть определен, как реактивное ионное распыление. Образование тонкой фторуглеродной пленки можно объяснить способностью окисла кремния реагировать с ней, например, с образованием СО2 [8].

Наличие фторуглеродной пленки на поверхности диоксида кремния подтверждается исследованием поверхности пластины, прошедшей обработку в плазме CHF3, методами вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и электронной Оже-спектроскопии (ЭОС). При распылении поверхностной пленки нейтрализирующим электронным пучком (метод ВИМС) наблюдалась десорбция F с поверхности. Анализ проводился в пяти диаметрально противоположных точках исследуемой пластины. Полученный профиль (рисунок 2.11) ясно указывает на наличие в пленке слоя с F.

При использовании метода ЭОС, применяемого совместно с ионным распылением, получены оже — спектры  поверхности пластин (рисунок 2.11, а и 2.12, б). На рисунке 2.12, а показан спектр, полученный при распылении ионами толщины поверхностной пленки порядка 1,0 нм. Анализ энергетического спектра подтверждает наличие на поверхности следов F и C (CH). После распыления 2,5 нм поверхностной пленки в полученном спектре наблюдается только SiO2 (рисунок 2.12, б).

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector