Изотропное плазменное травление SiO2.

Изотропное плазменное травление SiO2. Как говорилось выше для получения изотропного профиля травления диоксида кремния необходимо проводить процесс травления в реакторе ВПП при повышенных температурах подложки и высоком значении рабочего давления (рабочее давление в камере должно составлять несколько сот Паскаль). Последний, из указанных технологических параметров, обеспечивает высокую плотность нейтральных химически активных частиц (ХАЧ). Применение ИСП реактора исключает или минимизирует воздействие заряженной компоненты плазмы на поверхность подложки.

Известно, что в качестве рабочего плазмообразующего газа при травлении диэлектрических слоев используются фторсодержащие газы, в частности элегаз (SF6). Добавка кислорода к рабочему газу в соотношении примерно 5 : 1 позволяет увеличить выход атомарного фтора, являющегося основным травящим компонентом в данной смеси.

Выбор оптимальных значений температуры, давления и газовой смеси обусловлен необходимостью получить, во-первых, максимальную скорость изотропного травления диоксида кремния, во-вторых, достаточную селективность к фоторезистивной маске (сохранение размеров исходной фоторезистивной маски). Требование сохранения исходных размеров фоторезистивной маски является обязательным, поскольку при проведении в дальнейшем анизотропной стадии травления, критичным является донный размер формируемого контактного окна.

Соответственно, на рисунках 2.6-2.8 приведены зависимости селективности и скорости травления окисла кремния от состава газовой смеси, прикладываемой мощности, рабочего давления и температуры подложки [2].

Скорость плазменного травления диоксида кремния зависит от прикладываемой в плазму ВЧ мощности и рабочего давления в реакторе.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector