Методы формирования наклонного профиля контактных окон

Наиболее простой – ИТ, в течение которого верхние углы рельефа за счет зависимости скорости травления от угла падения ионов сглаживаются до углов 40-500 (отсчет от нормали к поверхности). На  представлены этапы формирования наклонного профиля межслойной изоляции и двухуровневой металлизации.

Другой способ планаризации состоит в нанесении на рельефную подложку слоя фоторезиста (полиимида, кремний органического стекла SOG) толщиной, на ольшей, чем высота исходного рельефа, его стандартной обработке и последующем ИТ. После стравливания планаризующего покрытия на выступах рельефа из-за малой разности скоростей ИТ функциональных слоев и слоя фоторезиста (полиимида, кремнеорганического стекла – SOG) происходит сглаживание рельефа, которое по достижении нужной степени может быть оставлено с последующим удалением остатков резиста (полиимида, SOG) в растворителях или кислородной плазме.

 

 

                                       

Поэтапное формирование наклонного профиля межслойной изоляции и двухуровневой металлизации

 

Me1

б – профиль межслойной изоляции после проведения планаризации с помощью ИТ;

 

в – профиль полученной двухслойной металлизации.

 

 

Рисунок 2.1 – (продолжение)


Методы формирования наклонного профиля контактных окон. Известно, что при плазменном травлении (ПТ) слоев диоксида кремния, носящим ярко выраженный анизотропный характер, профиль травления получается вертикальным или близким к вертикальному. При толщинах слоя межслойной изоляции порядка 1 мкм это приводит к обрыву слоя металла на рельефе контактного окна.

Для получения наклонного профиля контактного окна до недавнего времени использовались различные технологические приемы:

       первый способ связан с формированием наклонного профиля фоторезистивной маски. При последующем плазменном травлении контактных окон через такую маску образуется наклонный профиль травления окисла кремния за счет постепенного увеличения размеров окна фоторезистивной маски в процессе травления благодаря стравливанию фоторезиста;

       во втором способе используется многослойный межслойный диэлектрик, в котором верхний слой (или слои) при проведении плазменного травления травится изотропно, а нижний — анизотропно;

       третий способ реализуется путем специальной предварительной обработки верхней части слоя межслойного диэлектрика, которая приводит к увеличению изотропности травления этой верхней части;

       четвертый способ использует комбинацию жидкостного и плазменного методов травления, первый из которых обеспечивает изотропный, а второй анизотропный профиль травления.

Первый способ  отличается невоспроизводимостью, приводит к увеличению размеров переходных окон и становится неприемлемым для контактных окон с размерами менее 3 мкм. Все прочие перечисленные выше методы также имеют ряд существенных недостатков, например, ограничение минимального размера окна, увеличение общего количества технологических

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector