Для увеличения выхода годных микросхем и полупроводниковых приборов

Для увеличения выхода годных микросхем и полупроводниковых приборов, а также повышения их электрофизических параметров необходимо, кроме всего прочего, обеспечивать высокое качество изоляции и металлизации (часто многослойных). Поверхность подложки после многочисленных предшествующих технологических операций становится рельефной, причем канавки, окна, выступы, ступеньки часто имеют крутые боковые стенки.

При нанесении слоев изоляции и металлизации на крутых участках рельефа наблюдаются разрывы, сразу приводящие к браку, или сильные утончения, которые служат потенциальной причиной последующего брака.

Поэтому один из способов улучшения условий нанесения изоляции и металлизации заключается в проведении планаризации рельефа. Для этого используют процесс ионного травления (ИТ), чаще всего, в среде аргона.

При планаризации поверхности такие недостатки ионного травления, как сильная зависимость скорости травления от угла падения ионов ( где К(α) — коэффициент распыления при угле падения ионов α,  где К(0) — коэффициент распыления при нормальном падении ионов, NИ — количество бомбардирующих ионов N0 — атомная плотность материала мишени) и низкая селективность травления различных материалов выступают в качестве достоинств. Планаризация

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector