На дальнейшем этапе осуществляется снятие фоторезиста жидкостным химическим методом

На дальнейшем этапе осуществляется снятие фоторезиста жидкостным химическим методом при помощи специальных растворов (рисунок 1.8). После снятия, отмывки и сушки ФШ проводится контроль линейных размеров полученного рисунка (в общем случае, контроль темных и светлых элементов), а также измерение величины рассовмещения элементов топологии ( Для измерения точностных линейных параметров используется специализированное контрольно-измерительное оборудование, например микроскоп LeicaLWN 250UV. Для измерения точностных параметров рассовмещения используется специализированное контрольно-измерительное оборудование (например, система Ipro)

Стадия тщательной отмывки фотошаблона производится на специальной установке отмывки, которая включает в себя механическую и мегазвуковую отмывку (рисунок 1.11).

 

 

 

 

– Измерение контролируемых размеров

Последующий поиск дефектов маскирующего покрытия производится методом сравнения топологического рисунка фотошаблона с исходными проектными данными на специализированной установке (рисунок 1.12). Несовпадающие элементы классифицируются как дефекты топологического рисунка фотошаблона.

 

– Измерение величины рассовмещения элементов топологии

– Отмывка поверхности шаблона перед контролем на дефектность

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector