Для изготовления ФШ применяются такие же процессы

Контроль локальных дефектов ПШ, в зависимости от сложности изделия может осуществляться следующими основными методами:

       телевизионной микроскопией, заключающейся в сравнении оцифрованного изображения модуля ПШ, выведенного через микроскоп на телеэкран, с данными о бездефектном модуле, записанными в память запоминающего устройства системы (при этом достигается точность определения размеров элементов рисунка 0,3 мкм);

       оптическим наложением изображений, т. е. непосредственным сравнением, двух модулей одного и того же ФШ (точность 0,5 мкм);

       сравнение топологического рисунка ПШ с проектными данными на автоматической установке контроля топологии и поиска дефектов.

В процессе фотолитографии при переносе рисунка шаблона на пластину создаются новые дефекты, так называемые привнесенные дефекты. В общей последовательности операций, необходимых для изготовления интегральной микросхемы, именно процессы фотолитографии вместе взятые, в значительной степени определяют выход годных интегральных микросхем. Плотность дефектов шаблона является исключительно важным фактором в экономической эффективности производства интегральных микросхем.

Следует отметить, что выход годных быстро уменьшается с увеличением числа операций фотолитографий, которое для большинства интегральных микросхем составляет 5…15.

Изготовитель шаблонов и разработчик схемы должны определить критерии контроля шаблонов, которые позволили бы контрольной системе идентифицировать критические дефекты. Если критерии контроля неопределенны или чрезмерно мягки, измеренное значение плотность критических дефектов на i операции (Ni) окажется слишком малым и при использовании комплекта таких шаблонов выход годных кристаллов может быть очень низким. Напротив, при излишне строгих критериях контроля измеренное значение Ni окажется слишком большим и будут забракованы потенциально годные шаблоны.

Для изготовления ФШ применяются такие же процессы, как и при изготовлении структур интегральных микросхем, с той только разницей, что здесь необходима большая точность, так как именно она определяет в значительной степени точность изготовления элементов интегральных микросхем. Поэтому рассмотрим операции фотолитографии (их особенности) применительно к изготовлению ФШ.

Для промышленного изготовления фотошаблонов, как правило, используют фотошаблонные заготовки изготовленные на специализированных предприятиях, где происходит нанесение и сушка резиста. При этом раствор резиста тщательно профильтровывают, а подложку фотошаблона очищают. Толщина пленки резиста обычно меньше, чем при изготовлении интегральных микросхем, поскольку при изготовлении шаблонов не требуется закрывать ступеньки рельефа. При этом руководствуются правилом, согласно которому толщина слоя резиста должна быть больше размеров наиболее крупных частиц, которые могли остаться в растворе резиста после заключительного фильтрования, но не должна превышать 0,5 мкм. Минимальная толщина пленки позволяет снизить эффекты, связанные с процессом химической обработки и обеспечить высокую разрешающую способность. Однако с уменьшением толщины слоя резиста возрастает вероятность образования дефектов. Поэтому необходим компромисс между разрешающей способностью и плотностью дефектов, который обычно достигается эмпирически. В производстве шаблонов с применением обычно толщина резиста поддерживается в пределах 0,2…0,6мкм.

После нанесения резиста его тщательно сушат для обеспечения хорошей адгезии к подложке. Значение температуры сушки зависит от свойств резиста.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector